拓墣产业研究院最新报告指出，第三代半导体产业竞争日益激烈，氮化镓（GaN）功率元件凭借其高频、高功率特性，在5G/6G基地台、航空航天、AI运算等应用领域快速崛起。拓墣预估，2025年全球GaN功率半导体市场规模将达7.5亿美元，年增率高达62.7%，至2030年将扩大至43.8亿美元，年复合成长率（CAGR）达42.3%。GaN组件具备优异电性能与高可靠性，除了主流通讯以及工业应用外，也加速渗透至智慧城市、无线充电与医疗设备等新兴场景。随中国大陆等地积极推动产业自主，全球GaN供应链本土化进程加速，各国
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第三代半导体 GaN 拓墣产业研究院 SiC
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、供暖、通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、模块化部分和接收器或解调器部分。每个部分包含一个线圈，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。该技术与标准CMOS处理兼容，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。图 1.分立 SSI 中使
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固态隔离器 MOSFET IGBT 优化SSR
随着人工智能（AI）快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下简称“台达电子”）签署全新合作协议。双方将携手在台达设计中应用Microchip的mSiC™产品与技术，通过双方合作加速创新型碳化硅（SiC）解决方案、节能产品及系统的开发，助力构建更可持续的未来。Microchip负责高功
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Microchip 台达 碳化硅 SiC 电源管理
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重大突破，在硅功率器件中实现了前所未有的性能与效率提升。该架构突破了硅材料在导通与开关方面的物理瓶颈，将n型导电区域扩大至高达95%，并将开关损耗较竞争产品降低高达2.1倍。该结构不仅改善了器件的电阻与功率损耗，同时保留了硅材料的诸多优势，包括高强度、量产能力强以及在175°C结温下的可靠性
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iDEAL MOSFET SuperQ
几乎所有的书籍资料，在讲解MOSFET的时候，都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构，然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不友好的，导致大家看了大量的表述没有理解，没有汲取到营养。各种三维、二维的图形，各式各样，也不统一。本章节，我们从应用的角度，来看我们选择一个开关的器件，当选择了一个MOSFET之后，他并不是一个完全理想的开关器件。通过其不理想的地方，理解他的一些关键参数。后续的内容，我们再通过微观结构去理解一下导致这些参数的原因
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选型指南 MOSFET 无源器件
NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5
A/-9A。 它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。
NCP51752提供短而匹配的传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地关闭，NCP51752具有嵌入式负偏置轨机制在GND2和VEE引脚之间。 本用户指南支持NCP51752的评估板。 它应该与NCP51752数据表以及onsemi的应用说明和技术支持团队一起使用。 本文档描述了孤立单体的拟
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onsemi NCP51752 隔离式 SiC MOSFET 闸极驱动器 评估板
瑞萨电子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平台，该平台具有适用于高功率应用的 650 V、30 毫欧姆氮化镓器件。此次发布代表了该公司在收购 Transphorm 并与其控制器和驱动器 IC 产品线集成后对 GaN 技术的持续投资。与之前的 35 毫欧姆器件相比，Gen 4+ 平台的 RDS（on） 和芯片尺寸减小了 14%，直接降低了成本。开关品质因数提高了 50%，而输出品质因数提高了 20% 以上。在比较测试中，瑞萨电子在 4 kW 电源应用中的损耗比领先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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650V GaN 器件 高功率应用 SiC
在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中，都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级，此类电源通常受到的关注较少，但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。提高系统可靠性、减小系统尺寸以及缩减系统成本，同时最大限度地降低风险并支持多源采购——设计人员不断面临这些经常相互矛盾的挑战。Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列，可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的
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Wolfspeed MOSFET 辅助电源系统
6月25日，香港特区政府创新科技局辖下创新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工业加速计划」申请已获得评审委员会批准。获批项目涉及在香港兴建宽禁带半导体碳化硅 （SiC） 晶圆制造设施。项目总预算超过 7 亿港元，将获得 2 亿港元的「新产业加速计划」资助。这笔资金预计将大大提升香港的先进半导体制造能力，并加速其在宽禁带半导体领域的发展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注册成立，并于 2024 年 6 月正式开始运营，同时
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香港 8英寸 SiC 晶圆厂
在减少排放和实现净零目标的前进道路上，碳化硅技术将在可持续发展应用中发挥关键作用。这些应用可以通过在系统中添加电力电子器件（例如电机驱动器）或增强现有系统中的电力电子器件以达到更高的电压并提高效率。随着越来越多的应用集成电气系统，对电路保护的需求至关重要。维修或更换组件的成本可能很高，因此设计人员正在实施更强大的电路保护方法。仅限于保护线路的电路中断装置对于敏感的电子负载已不再足够。电子电路中断解决方案（例如电子熔丝）可以保护线路并限制传输到故障负载的短路允通电流和能量，从而可以防止负载自身损坏。传统电路
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SiC 熔丝保护
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。SiC Combo JFET 技术概览对于需要常关器件的应用，可以将低压硅（Si） MOSFET与常开碳化硅（SiC） JFET串联使用，以创建共源共栅（cascode）结构。在这种设置中，SiC JFET负责处理
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安森美 SiC Combo JFET
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。SiC Combo JFET技术概览对于需要常关器件的应用，可以将低压硅（Si） MOSFET与常开碳化硅（SiC） JFET串联使用，以创建共源共栅（cascode）结构。在这种设置中，SiC JFET负责处理高
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SiC Combo JFET 安森美
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性 （参考阅读： CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述 ， CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析 ） ，今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。G2在硬开关拓扑中的应用除了R DS(on) ，开关损耗在SiC MOSFET的选型中也扮演着非常重要的角色。因为SiC往往工
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英飞凌 MOSFET
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司（以下简称“BTET”）、一汽丰田汽车有限公司（以下简称“一汽丰田”）联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
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罗姆 SiC MOSFET 丰田 纯电车型
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而，并非所有器件都适合并联， 因为参数差异会影响均流特性。本文
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意法半导体 SiC MOSFET
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